1

A novel optical bistable multiple-quantum-well phase modulator

Année:
1992
Langue:
english
Fichier:
PDF, 306 KB
english, 1992
6

Low temperature GaAs grown by gas source molecular beam epitaxy

Année:
1992
Langue:
english
Fichier:
PDF, 493 KB
english, 1992
7

Growth of resonant interband tunneling diodes using trimethylamine alane

Année:
1996
Langue:
english
Fichier:
PDF, 369 KB
english, 1996
8

Selective InAs growth by chemical beam epitaxy

Année:
1996
Langue:
english
Fichier:
PDF, 429 KB
english, 1996
9

Selective growth on facets and in situ mask removal for regrowth

Année:
1999
Langue:
english
Fichier:
PDF, 302 KB
english, 1999
10

Controlled growth of quantum dots on mesa top

Année:
1999
Langue:
english
Fichier:
PDF, 307 KB
english, 1999
12

Selective area epitaxy of GaAs using tri-isopropylgallium

Année:
1998
Langue:
english
Fichier:
PDF, 3.03 MB
english, 1998
13

Sidewall spacer defined resonant interband tunneling diodes

Année:
1998
Langue:
english
Fichier:
PDF, 1.45 MB
english, 1998
18

GaAs MESFET fabrication without using photoresist

Année:
1998
Langue:
english
Fichier:
PDF, 66 KB
english, 1998
19

Effusion cell orientation dependence of molecular beam epitaxy flux uniformity

Année:
1991
Langue:
english
Fichier:
PDF, 730 KB
english, 1991
21

Resistless patterning of Si for processing

Année:
1999
Langue:
english
Fichier:
PDF, 466 KB
english, 1999
28

Resistless patterning for selective growth

Année:
1997
Langue:
english
Fichier:
PDF, 390 KB
english, 1997
29

Selective positioning of InAs self-organized quantum dots on sub-250 nm GaAs facets

Année:
1997
Langue:
english
Fichier:
PDF, 749 KB
english, 1997